有些应用场合需要使用一个热插拔控制器、一个断路器或者两者都要使用，以适应双极性直流输入电源干线。在某些使用热插拔控制器的情况下，这种要求仅仅出于对起动电流的考虑。要消除连接器的应力和电源干线的干扰，就必须控制起动电流。另外一些应用场合在某一电源因某种原因发生故障时就会出现问题。砷化镓FET放大器的偏置电源就是一个范例。如果你去掉负的栅极偏压，那你也得去除正的漏极电源；否则，放大器就会因漏极电流过大而自行毁坏。但你只要使用一个单通道热插控制器，就可满足上述这两个要求。

　　图1，所示电路以浮动方式使用TPS2331（即IC₁）。该电路使得IC的接地与负输入电压有关。 如果正干线电压太低或负干线电压太高，则该电路在VSENSE引脚上达不到1.225V的阈值，于是IC关断。VSENSE引脚上有大约30mV的滞后电压，以保证IC开启时无震颤。
　　当正负两个电压都超出各自的阈值时，IC₁接通，为两只FET提供的受控制的转换速率随时间线性增长。要注意的是，该电路只使用N沟道FET，因为尺寸和费用给定的情况下，N沟道FET的导通电阻比P沟道FET的要小。为了使Q1A导通，TPS2331有一个内置式电荷泵，它能产生一个比正干线电压大的电压，从而对这一FET起增强作用。随着栅极电压的建立，Q3起到线性电平晶体管的作用，因而Q1B也能随时间线性增长，其导通速度是TPS2331 14μA输出电流和C3值的函数。本设计使用这两只FET的依据是直流通路中允许的最大电阻和FET的功耗值。事实上可以使用任何规格的FET，视你想要控制的电流大小而定。要注意的是，加到TPS2331上的总电压范围不能超过最大额定电压15V。如果IC1不在两个输入电源电压之间浮动，则负输入电压可能比较大。图2示出了这样一种应用电路，其输入电压为5V和-12V。该电路的主要要求是，电平移动晶体管Q3要能耐受较高的电压。此外，这一电路还能使用象IC1最大额定电压15V那么高的正输入电压。